Новите microSD карти на Samsung предлагат високапроизводителност и капацитет в новата ера на мобилнитекомпютри и изкуствен интелект във всяко устройство
Samsung изпробва новата си Express microSD карта с 256GB памет и четири пъти по-висока скорост от тази на текущия интерфейсUHS-1 microSD картата на Samsung с 1TB памет в масово производство въз основа нанай-новата технология V-NAND
Samsung изпробва новата си Express microSD карта с 256GB памет и четири пъти по-висока скорост от тази на текущия интерфейс
UHS-1 microSD картата на Samsung с 1TB памет в масово производство въз основа на
най-новата технология V-NAND
Samsung Electronics Co. Ltd., световен лидер в съвременнитетехнологии за памет днес обяви, че започва изпитванията на microSD 1SD Express2 карта с 256гигабайта памет и последователна скорост на четене до 800 мегабайта в секунда (MB/s), както и че езапочнал да произвежда масово 3UHS-1 microSD карта с 1 терабайт (TB) памет. С новата си серияmicroSD карти от следващото поколение Samsung цели да предложи диференцирани решения запамет, които ще са необходими в бъдеще на пазара за мобилни изчислителни системи и устройства сизкуствен интелект.
„С двете си нови MicroSD карти Samsung предоставя ефективни решения за нарастващата нужда отмобилни компютри и устройства с изкуствен интелект“, казва Хангу Сон, вицепрезидент на MemoryBrand Product Biz Team в Samsung Electronics. „Въпреки малкия си размер, тези карти паметгарантират висока производителност и капацитет като на SSD диск и помагат на потребителите да севъзползват пълноценно от взискателните съвременни и бъдещи приложения“.
Новата SD Express microSD карта осигурява максимални скорости до 800 MB/s
За пръв път в индустрията, Samsung представя нова високопроизводителна microSD карта на базатана интерфейса SD Express. Тази разработка беше резултат от успешно сътрудничество с клиент засъздаване на специализиран продукт.
Благодарение на ниската консумация на енергия на дизайна и фърмуерната технология,оптимизирана за висока производителност и контрол на температурата, SD Express microSD картатана Samsung осигурява производителност, сравнима с тази на SSD дисковете с малък размер. Докатоскоростта на четене на стандартните microSD карти, базирани на интерфейса UHS-1, бешеограничена до 104MB/s, скоростта на SD Express достига 985 MB/s. Въпреки това, SD карти с тозиинтерфейс не бяха достъпни на пазара допреди.Последователната скорост на четене на SD Express microSD картата на Samsung достига 800 MB/s,което е 1,4 пъти по-бързо от скоростта на SATA SSD дисковете (достигаща 560 MB/s) и повече отчетири пъти по-бързо от стандартните UHS-1 карти памет (до 200 MB/s), което подобрявапроизводителността при работа с различни устройства, включително компютри и мобилниустройства. Технологията Dynamic Thermal Guard (DTG) поддържа оптимална за SD Express microSDкартата температура, дори при дълготрайно използване, за да се гарантира висока производителности надеждност на малкия й форм-фактор.
UHS-1 microSD карта с 1TB памет и съвременната технология 1Tb V-NAND
Новата microSD карта с 1TB памет на Samsung е снабдена с осем слоя 1-terabit (Tb) V-NAND от осмопоколение във форм-фактор на microSD, което осигурява висока производителност, която преди е била достъпна само за SSD дискове. PRO Ultimate се подлага на най-сериозните тестове виндустрията и предлага безгрижно използване в предизвикателни среди благодарение на функциитеси като водоустойчивост, устойчивост на високи температури, защитен от удари дизайн, защита отизносване и защита от рентгенови лъчи и магнитни полета4.
Достъпност
SD Express microSD картата с 256GB памет и UHS-1 microSD картата с 1TB памет ще бъдат достъпниза покупка по-късно през годината.
За Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung вдъхновява света и оформя бъдещето чрез трансформиращи идеи и технологии.Компанията предефинира сферите на телевизията, смартфоните, носимите устройства, таблетите,битовите уреди, паметта, медицинското оборудване, мрежовите системи и светодиодите и предлагабезпроблемно свързано изживяване чрез екосистемата SmartThings и открито сътрудничество спартньори. За новини посетете Samsung Newsroom на адрес news.samsung.com.
1 1 GB = 1 000 000 000 байта (1 милиард байта) Фактическият полезен капацитет може да е различен.
2 SD Express: Новият интерфейс за SD карти с PCIe Gen3x1 (въз основа на спецификацията SD 7.1, пусната презфевруари 2019 г.). Теоретичната скорост на прехвърляне на данни на SD Express е 985 MB/s
3 1 терабайт (TB) = 1 000 000 000 000 байта (1 трилион байта). Фактическият полезен капацитет може да е различен.
4 Samsung не носи отговорност за щети, загуба на данни или разходи, понесени при възстановяване на данните в картата памет. Заявените шест защити важат само за 1TB UHS-1 microSD картата, но не и за 256GB SD ExpressmicroSD картата. Дълбочина до 1 м, солена вода, 72 часа. Работни температури от -25℃ до 85℃ (-13°F до 185°F), неработни температури от -40℃ до 85℃ (-40°F до 185°F). Устойчивост на въздействието на съвременнирентгенови устройства в летищата (до 100mGy). Магнитни полета, еквивалентни на магнитно-резонансен скенер с високо поле (до 15 000gauss). Издържа на падане от 5 метра (16,4 фута). До 10 000 поставяния.
BG_Новите microSD карти на Samsung предлагат висока производителност и капацитет в новата ера на мобилните компютри и изкуствен интелект във всяко устройство.docx
DOCX 23 KB
